― 多品種少量生産向けクリーンルームレスの導体製造モデルに参画 ―
米倉製作所が提供する技術の可能性を ぜひ会場で体感してください。
皆さまのご来場を心よりお待ちしております。
2026年12月9日(水)～12月11日(金) 10:00～17:00
会 場 : 東京ビッグサイト 西展示棟
ブースNo : 西展示場 W1086 ※ミニマルファブブース内
公式URL ： https://www.semiconJAPAN.org/jp/about
● 水プラズマ（レジスト除去プロセス）
・超純水のプラズマを使用
・高温かつ低温でのアッシングを実現
・熱ダメージを低減して廃液・薬液処理が不要
・イオン注入後の硬質膜にも対応
● 集光加熱（酸化膜形成プロセス）
・赤外線集光加熱方式を採用
・最大1300℃の急速加熱が可能
・真空・雰囲気ガスの使用にも対応
●DCB法による評価を自動化したウエハ接合強度評価装置
ウエハ接合プロセス評価に貢献!
次世代半導体パッケージング技術の進展に伴い、接合界面の機械的信頼性評価はますます重要になっています。
本装置はDCB法を利用した接合強度評価装置で、接合界面にブレードを挿入し
剥離を発生させて剥離距離を測定することにより接合強度を評価する装置です
1050nm LED面照明
■仕様
・製品名：DCB(Double cantilever beam)試験装置
・ブレード挿入力：MAX 500N ※荷重検出ロードセル付
・ブレード挿入速度：0.01～5.00mm/sec
・ブレード挿入変位：MAX 5mm
・対応ウエハ：12インチウエハ
・透過IR照明：1050nm 120mm 角面発光NIRLED照明
・剥離観察用IRカメラ：CMOS IRイメージセンサ 420万画素
※仕様は予告なく変更する可能性があります
※本装置は横浜国立大学 井上史大先生の監修の元、製作しています
●IR-HP 6放物面輻射加熱炉（IRイメージ炉）
高精度加熱を実現するアニール装置
ハロゲンヒーターによる赤外線集光加熱により試料を高速かつ高精度に加熱、高い温度制御性を実現します。
半導体材料、接合部、薄膜の熱処理や材料開発において、プロセス最適化と評価を支援します。
■仕様
【IR-HP高温タイプ IR-HP2-10】
・最高温度:1200℃
・加熱エリア:70×70×t5mm
・加熱ランプ:2kW×5本
・炉体サイズ:W400×D160×H160
・使用電力:単相200V50A
様々な仕様変更に対応いたします。お気軽にお問合せください！